Nexperia lança e

Sep 30, 2023

Nijmegen, 9 de maio de 2023: Nexperia, especialista em semicondutores essenciais, lançou hoje seus primeiros Power GaN FETs na configuração e-mode (modo de aprimoramento) para aplicações de baixa (100/150 V) e alta (650 V) tensão. Ao aumentar sua oferta de cascode com sete novos dispositivos de modo eletrônico, a Nexperia agora oferece aos projetistas a escolha ideal de GaN FETs de um único fornecedor, juntamente com seu portfólio substancial de componentes eletrônicos de potência baseados em silício.

O novo portfólio da Nexperia inclui cinco FETs GaN de modo eletrônico de 650 V (com valores RDS(on) entre 80 mΩ e 190 mΩ) em uma variedade de pacotes DFN 5 × 6 mm e DFN 8 × 8 mm. Eles melhoram a eficiência da conversão de energia em datacom/telecom de alta tensão e baixa potência (<650 V), carregamento do consumidor, aplicações solares e industriais. Eles também podem ser usados ​​para projetar motores CC sem escovas e unidades de microsservidor para precisão com maior torque e mais potência.

A Nexperia agora também oferece um GaN FET de 100 V (3,2 mΩ) em um pacote WLCSP8 e um dispositivo de 150 V (7 mΩ) em um pacote FCLGA. Esses dispositivos são adequados para várias aplicações de baixa tensão (<150 V) e alta potência para fornecer, por exemplo, conversores DC-DC mais eficientes em data centers, carregamento mais rápido (e-mobility e USB-C), transceptores LiDAR menores , amplificadores de áudio de classe D de baixo ruído e dispositivos de consumo mais densos em energia, como telefones celulares, laptops e consoles de jogos.

GaN FETs oferecem a mais alta eficiência de energia com o tamanho de solução mais compacto em muitas aplicações de conversão de energia, recursos que reduzem substancialmente a lista de materiais (BOM). Como resultado, os dispositivos GaN estão entrando cada vez mais nos principais mercados de eletrônica de potência, incluindo computação de servidor, automação industrial, consumidor e infraestrutura de telecomunicações. Os dispositivos baseados em GaN oferecem a capacidade de transição/comutação mais rápida (maior dv/dt e di/dt) e oferecem eficiência superior em aplicações de conversão de baixa e alta potência. O excelente desempenho de comutação dos FETs GaN de modo eletrônico da Nexperia é atribuível a valores muito baixos de Qg e QOSS, enquanto seu baixo RDS(on) permite designs mais eficientes em termos de energia.

Com este lançamento, a Nexperia agora fornece uma ampla oferta de produtos GaN FET para atender à ampla gama de aplicações de energia mais adequadas à tecnologia, incluindo dispositivos cascode para aplicações de alta tensão e alta potência, dispositivos de modo eletrônico de 650 V para alta tensão , aplicações de baixa potência e dispositivos de modo eletrônico de 100/150 V para aplicações de baixa tensão e alta potência. Além disso, os Nexperia e-mode GaN FETs são fabricados em uma linha de wafer de 8" para maior capacidade e qualificados para aplicações industriais de acordo com o padrão JEDEC. A expansão de sua oferta de dispositivos GaN é uma prova do compromisso da Nexperia com silício de qualidade e largura de banda larga tecnologias.

Para saber mais sobre os novos FETS GaN de modo eletrônico de 100 V, 150 V e 650 V da Nexperia, visite: nexperia.com/gan-fets

Sobre Nexperia

Com sede na Holanda, a Nexperia é uma empresa global de semicondutores com uma rica história na Europa e mais de 15.000 funcionários na Europa, Ásia e Estados Unidos. Como especialista líder no desenvolvimento e produção de semicondutores essenciais, os componentes da Nexperia permitem a funcionalidade básica de praticamente todos os projetos eletrônicos do mundo – desde automotivo e industrial até aplicações móveis e de consumo. bilhões de produtos anualmente. Esses produtos são reconhecidos como referências em eficiência – em processo, tamanho, potência e desempenho. O compromisso da Nexperia com a inovação, eficiência, sustentabilidade e requisitos rigorosos da indústria são evidentes em seu extenso portfólio de IP, sua gama de produtos em expansão e sua certificação para os padrões IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 e ISO 45001.